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三星和臺積電又杠上了

更新時間:2025-02-25   點擊次數(shù):11次

作為芯片業(yè)的前三強,以及晶圓代工業(yè)的前兩強,三星與臺積電一直不缺乏故事和新聞。就在本周,這兩家備受業(yè)界關(guān)注的明星企業(yè)又不由自主地被擺在了擂臺上。


首先看財報,臺積電公告了9月營收,達到1526.85億元新臺幣,受惠蘋果iPhone新機進入拉貨旺季,營收月增11%,年增19.7%,首度沖破1500億元大關(guān),改寫歷史新高。從整個第三季度來看,受惠5nm、7nm制程應用驅(qū)動,臺積電估計第三季度營收將達146-149億美元,季增9.8-12.1%,以新臺幣計算,第三季度營收估4073.4-4157.1億元,這是該公司單季營收首度突破4000億元,毛利率預估為49.5-51.5%。

三星表現(xiàn)同樣搶眼,該公司公布了第三季度初步財報,受內(nèi)存價格上漲、蘋果新機面板訂單推動,第三季度營業(yè)利潤增長28%,為三年來新高。三星第三季度營收估計為73萬億韓元,年增9%,營業(yè)利益為15.8萬億韓元(約合133億美元),略低于Refinitiv統(tǒng)計分析師預期的16.1萬億韓元,但仍是2018年第三季度以來的單季表現(xiàn)。

Cape投資證券分析師Park Sung-soon表示,三星半導體業(yè)務受惠于存儲器報價和出貨量提升,以及晶圓代工獲利能力大幅上升,該部門營業(yè)利益將較去年同期增長約79%。半導體業(yè)務占三星今年上半年營業(yè)利益的一半左右。

除了營收表現(xiàn)同樣優(yōu)秀,在制程方面,三星也在本周發(fā)出重磅消息,欲與臺積電一較高下。

目前,擁有制程技術(shù)的芯片廠商僅剩臺積電、三星電子和英特爾,其中,臺積電的制程工藝、,使得三星在近些年一直處于苦苦追趕的狀態(tài)。

三星在10月7日的晶圓代工論壇上表示,2022上半年會推出3nm制程,臺積電的3nm是在2022下半年才會推出。據(jù)悉,三星的3nm將采用環(huán)繞閘極技術(shù)(Gate-All-Around,GAA),臺積電則延用FinFET,2nm制程才會導入GAA技術(shù)。三星表示,預計2022年推出代3nm的3GAE技術(shù),2023年推出新一代3GAP技術(shù),2025年2nm的2GAP制程投產(chǎn),而臺積電的2nm預計于2024年推出,早于三星。

三星強調(diào),與5nm制程相比,三星首顆3nm制程GAA技術(shù)芯片面積將縮小35%,性能提高 30% 或功耗降低 50%。三星表示,3nm良率正在逼近4nm制程。

這樣看來,三星的晶圓代工業(yè)務有望成為2022年的一個亮點,不至于讓臺積電。

臺積電消息顯示,其3nm基于的EUV技術(shù),可以減少曝光機光罩缺陷及制程堆棧誤差,芯片良率符合預期,并降低整體成本,2nm制程將會進一步改善EUV技術(shù)的質(zhì)量與成本。

產(chǎn)能方面,臺積電南科廠3nm的單月產(chǎn)能計劃為5.5萬片起,2023年,有望達到10.5萬片。三星還沒有相應的產(chǎn)能規(guī)劃。

量產(chǎn)制程比拼


近一年來,隨著已量產(chǎn)制程技術(shù)不斷成熟,三星加緊了追趕臺積電的腳步,無論是7nm,還是5nm,爭奪似乎越來越激烈。

產(chǎn)能方面,首先看7nm制程,有統(tǒng)計顯示,在2020年,三星每月的產(chǎn)能約為2.5萬片晶圓,而臺積電每月約為14萬片,而在5nm方面,雙方的差距更大,三星每月約為5000片晶圓,而臺積電每月約為9萬片。

而在制程工藝方面,三星一直在追趕臺積電,特別是在5nm方面,三星的低功耗版本5LPE性能比7nm的提升了10%,而在相同的時鐘和復雜度下,功耗可降低20%。據(jù)悉,5LPE在原始工藝中增加了幾個新模塊,包括具有智能擴散中斷(Smart Diffusion Break:SDB)隔離結(jié)構(gòu)的FinFET,以提供額外的性能,代靈活的觸點設(shè)置(三星的技術(shù)類似于英特爾的COAG,有源柵上的觸點),可用于低功耗的鰭式器件。

三星表示,5LPE在很大程度上與7LPP兼容,這樣,5LPE設(shè)計可以重新使用至少一些為原始工藝設(shè)計的IP,從而降低了成本并加快了上市時間。但是,對于可以充分利用SDB等優(yōu)勢的IP,三星建議重新設(shè)計。

另外,三星代工負責人表示,該公司已完成第二代5nm和代4nm產(chǎn)品的設(shè)計。

客戶方面,2020年,三星將其晶圓代工廠產(chǎn)能的60%用于其公司內(nèi)部使用,主要用于智能手機的Exynos芯片。其余產(chǎn)能分給客戶,包括高通(20%),另外20%由英偉達、IBM和英特爾瓜分。而隨著三星在2021年增加7nm、5nm等制程的產(chǎn)能,其自用比例將會下降,可能降至50%,更多滿足客戶需求。

臺積電方面,7nm產(chǎn)能已經(jīng)非常穩(wěn)健,在此基礎(chǔ)上,不僅是5nm,該公司還在6nm制程方面不斷進行拓展,臺積電還還發(fā)布了6nm RF(N6RF)制程,將的N6邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻(RF)與WiFi 6/6e解決方案。相較于前一世代的16nm射頻技術(shù),N6RF晶體管的效能提升超過16%。臺積電表示,N6RF制程針對6GHz以下及毫米波頻段的5G射頻收發(fā)器研發(fā),可大幅降低功耗和面積。

5nm方面,臺積電表示,由于客戶對5nm需求強勁,該公司5nm系列在2021年的產(chǎn)能擴充計劃比2020年會翻倍,2022年比2020年增長3.5倍以上,并在2023年達到2020年的4倍以上.臺積電還推出了5nm的版本-N5A制程,目標在于滿足汽車應用對于運算能力日益增加的需求,例如支持人工智能的駕駛輔助及數(shù)字車輛座艙。

發(fā)力封裝


制程工藝對封裝提出了更高要求,或者說,封裝在一定程度上可以彌補制程工藝的不足。因此,最近幾年,臺積電和三星不斷在3D封裝技術(shù)方面加大投入,爭取把更多的技術(shù)掌握在自己手中。

在臺積電2021 線上技術(shù)研討會期間,該公司披露了3DFabric系統(tǒng)整合解決方案,并將持續(xù)擴展由三維硅堆棧及封裝技術(shù)組成的3DFabric。

臺積電指出,針對高性能運算應用,將于2021年提供更大的光罩尺寸,以支持整合型扇出暨封裝基板(InFO_oS)和CoWoSR封裝方案,運用范圍更大的布局規(guī)劃來整合“小芯片"及高帶寬內(nèi)存。

此外,系統(tǒng)整合芯片方面,芯片堆棧于晶圓之上的版本預計今年完成7nm的驗證,并于2022年在嶄新的全自動化晶圓廠開始生產(chǎn)。

針對移動應用,臺積電則推出了InFO_B解決方案,將移動處理器整合于輕薄精巧的封裝之中,提供強化的性能和功耗效率,并且支持移動設(shè)備芯片制造廠商封裝時所需的動態(tài)隨機存取內(nèi)存堆棧。

臺積電還將封裝的業(yè)務拓展到了日本,這也需要一筆可觀的投資。日本經(jīng)產(chǎn)省表示,臺積電將在日本茨城縣筑波市設(shè)立研發(fā)據(jù)點,總經(jīng)費約370億日元,日本政府將出資總經(jīng)費約5成予以支持。據(jù)悉,擁有封裝技術(shù)的日本企業(yè)Ibiden、半導體裝置廠商芝浦機械(Shibaura Machine )等與半導體有關(guān)的約20家日本企業(yè)有望參與研發(fā),重點就是“小芯片"和3D封裝技術(shù)。

三星研發(fā)的3D封裝技術(shù)為X-Cube,該技術(shù)利用TSV封裝,可讓多個芯片進行堆疊,制造出單一的邏輯芯片。

三星在7nm制程的測試過程中,利用TSV 技術(shù)將SRAM 堆疊在邏輯芯片頂部,這也使得在電路板的配置上,可在更小的面積上裝載更多的存儲單元。X-Cube還有諸多優(yōu)點,如芯片間的信號傳遞距離更短,以及將數(shù)據(jù)傳送、能量效率提升到。

三星表示,X-Cube可讓芯片工程師在進行定制化解決方案的設(shè)計過程中,能享有更多彈性,也更貼近他們的特殊需求。

歷史競爭


三星與臺積電的全面競爭要追溯到早些年14nm制程的量產(chǎn)。

2015~2016年,隨著三星制程,特別是14nm的逐步成熟,其從臺積電那里奪得了不少大客戶訂單,收入頗豐。彼時的智能手機市場處于平臺期(開始出現(xiàn)衰退,但對相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的影響有滯后效應),對于相關(guān)芯片的需求量還是比較旺盛。這兩方面的因素,使得三星晶圓代工業(yè)務在2016年出現(xiàn)了大幅度的增長。

而到了2016~2017年,隨著臺積電制程的進一步成熟,三星部分大訂單又被臺積電搶了回去;此外,智能手機市場全面衰退,其負面效應也開始顯現(xiàn),對相關(guān)制程芯片的需求大減。這兩個因素導致三星晶圓代工業(yè)務在2017年銷售額同比增幅(4%)大幅下降。

2018年初,在韓國首爾舉辦的三星晶圓代工論壇上,三星相關(guān)負責人表示:“今年的目標是到年底,將晶圓代工的從第四名提升到第二名,超越聯(lián)電和格芯。未來則打算超越臺積電"。目前來看,該公司實現(xiàn)了階段的目標,坐穩(wěn)了晶圓代工二哥的位置,但要實現(xiàn)超越臺積電的目標,難度很大。

結(jié)語


半導體制造技術(shù)步入14/16nm節(jié)點之后,需要采用FinFET工藝來抑制晶體管漏電和可控度降低的問題,由此導致技術(shù)開發(fā)難度和資本投入都大幅度增加,因此這一門檻也被視為制程技術(shù)的準入標準。

從發(fā)展歷史來看,臺積電的28nm制程從2011年開始量產(chǎn),競爭對手3~5 年,并從2014年開始量產(chǎn)16/20nm的,之后就進入了快速增長期,到2015年兩種制程的占比已經(jīng)達到49%。

臺積電為了充分發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢,非常注重制程量產(chǎn)后的迅速擴容。如臺積電的130nm制程在2003年投入量產(chǎn)后,其營收占比僅用一年時間就從0陡升到28%;28nm制程的營收占比在2011年投入量產(chǎn)后,同樣只用了一年就從2%爬升到22%。迅速擴張產(chǎn)能幫助臺積電在每一個制程節(jié)點都能快速搶占客戶資源、擴大先發(fā)優(yōu)勢,并使其產(chǎn)能結(jié)構(gòu)明顯優(yōu)于同業(yè)競爭對手,這樣,更高的產(chǎn)品附加值帶來了更高的毛利率。

三星方面,由于是IDM,其設(shè)備投入和資源要優(yōu)先服務于三星電子的DRAM和NAND Flash等存儲產(chǎn)品的生產(chǎn),能夠分配給晶圓代工部門的資源相對有限。

三星晶圓代工部門另一個問題是行業(yè)競爭問題,三星業(yè)務范圍廣泛,諸如蘋果、高通等主要客戶本身也是三星電子的競爭對手,即便知識產(chǎn)權(quán)和得到良好保護,也不能保證供應鏈的靈活自主和上層競爭帶來的影響。比如蘋果的A4~A7系列處理器均在三星代工,2011年雙方爆發(fā)系列訴訟后,蘋果將A8轉(zhuǎn)單至臺積電代工,A9分別交由臺積電和三星代工,A10又全部由臺積電代工。

由于上述原因,三星晶圓代工部門雖然在制程技術(shù)的進展上和臺積電不分伯仲,但其背景決定了它很難成為晶圓代工領(lǐng)域的巨無霸。因此,三星于2017年決定將晶圓代工業(yè)務獨立出來,以進一步提升其市場競爭力。不過,就目前來看,實際進展和效果不明顯。

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